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Samsung發表Flashbolt業界首款第三代16GB的HBM2E記憶體技術,效能達到JEDEC最新HBM2標準之3.2Gbps,將推動HPC市場再達巔峰

文.圖/Johan 2020-02-04 12:00:00
說到HBM (High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體),您會想到市面上有哪些產品用到這個技術? Radeon VII? Radeon Instinct MI50/60? Titan V? Tesla V100? 還是已經GG的Kaby Lake-G系列? 對! 沒錯! 這些產品都有使用到HBM2的記憶體,擁有超高頻寬,能提供快速記憶體存取,以釋放出GPU的效能。

為再提升HBM2的效能,Samsung (三星)這次發表了全新的Flashbolt第三代HBM2E記憶體,單疊就能擁有16GB的容量,效能更高,與HPC (高效能運算)系統最速配,能幫助系統製造商建構出效能超強的超級電腦,以應用在資料中心的大數據處理、AI相關的資料分析,以及更精細的繪圖領域…等等。

三星發表最新第三代HBM2記憶體-Flashbolt


Samsung新聞稿:這裡

JEDEC規範:這裡

容量為上一代8GB HBM2的兩倍,頻寬最高增加高達75%!

新這次三星發表的Flashbolt HBM2E記憶體技術,容量達16GB,為上一代Aquabolt HBM2 8GB的兩倍,其採用3D垂直堆疊方式,以8層16Gb的DRAM die所組成。這些DRAM die都是採用10nm等級(1y nm)製程,相較於先前的20nm製程還要先進一些。這次的HBM2E封裝技術,以超過4萬個TSV (矽穿孔)技術,將micro bump (微凸塊)精確排列以進行互連,其中每顆16Gb的DRAM die均包含了5,600多個此類微小孔,由此可見其精細的製作技術,能讓相同體積空間堆疊出更高容量的高速記憶體。

HBM記憶體堆疊技術,此為AMD展示其HBM與GPU的堆疊技術


至於頻寬部份,三星Flashbolt HBM2E透過其專有的電路優化設計,來傳遞訊號,每DRAM針腳能提供高達3.2Gbps的效能,讓每個堆疊達到410GB/s的總頻寬,相較於前一代提升了33%的效能。

三星表示這次的HBM2E效能,其實還可以超頻到4.2Gbps,讓其每個堆疊達到538GB/s,效能達到比上一代的307GB/s還快75%!因此這次的HBM2E技術,透過容量與頻寬的提升,將能讓效能更上一層樓!

▼ 三星的各代HBM2記憶體規格比較

符合JEDEC最新JESD235C的HBM2規範

JEDEC於2020年1月正式釋出最新版JESD235C規範,其裡面將傳輸速度提升到3.2Gbps/pin,讓每堆疊頻寬高達410GB/s。至於容量方面則是定義到可以堆疊到12顆DRAM Die,而每顆Die的容量為2GB,使其總容量達24GB。因此理論上,HBM2容量是可以達到24GB的!

▼ JEDEC制定之各版本HBM2記憶體規格

而這次Samsung的Flashbolt就是符合其JESD235C規範,但每堆疊最高DRAM Die的數量只達到8層,而每顆Die的容量為2GB,因此可以疊到16GB。

2020 H1開始量產,真正搭載HBM2E的終端產品預計明年看到

這次三星的Flashbolt採用HBM2E技術,HBM2E後面的E,代表Evolutionary,也就是HBM2的進化版。而三星預期於2020年上半年開始量產,當然既有的Aquabolt HBM2產品線也持續供應。只是由於HBM2系列的產品售價都比較高,因此像是AMD這樣的公司就算要導入最新的HBM2E記憶體,也會先應用在高階的繪圖卡產品線,如前述的Radeon Instinct系列,從現在開始設計、導入,到真正量產上市,應該最快也要2020年耶誕購物季,或是2021年初才看得到囉!




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